Samsung MZ-V9S1T0

Produkt

Tillverkare

Samsung

Produktnamn

MZ-V9S1T0

Lanseringsdatum

26.10.2024

Tillverkarens länk

https://www.samsung.com/uk/memory-storage/nvme-ssd/990-evo-plu..

Produktkoder

Tillverkarens produktkoder

• MZ-V9S1T0BW
• MZ-V9S1T0BW.

GTIN- / EAN-koder

• 8806095575674

Produktbilder

Egenskaper

Solid-state drive kapacitet

1000 GB

SSD-diskens formfaktor

M.2

Gränssnitt

PCI Express 4.0

NVMe

Ja

NVMe-version

2.0

Minnestyp

V-NAND TLC

Komponent för

PC

Hårdvarukryptering

Ja

Kryptering/säkerhet

256-bit AES

M.2 SSD-storlek

2280 (22 x 80 mm)

Läshastighet

7150 MB/s

Skrivhastighet

6300 MB/s

Slumpvis läsning (4 kB)

850000 IOPS

Random skrivning (4KB)

1350000 IOPS

Stöd för DevSlp (device sleep)

Ja

Stöd för S.M.A.R.T.

Ja

TRIM-stöd

Ja

Medeltid mellan fel (MTBF)

1500000 h

Strömtillförsel

Driftspänning

3,3 V

Strömförbrukning (läsning)

4,3 W

Strömförbrukning (skrivning)

4,2 W

Genomsnittlig effektförbrukning (läs)

4,3 W

Genomsnittlig effektförbrukning (skriv)

4,2 W

Strömförbrukning (viloläge)

0,06 W

Strömförbrukning i DevSlp (device sleep)

5 mW

Vikt & dimension

Bredd

80,15 mm

Djup

2,38 mm

Höjd

80,15 mm

Vikt

9 g

Förpackning

Förpackningens bredd

145 mm

Låddjup

100 mm

Förpackningens höjd

24 mm

Vikt inkl. förpackning

68 g

Miljökrav

Temperatur vid drift

0 - 70 ° C

Stötar vid drift

1500 G